Vysoce čistý izostatický grafit pro polovodiče

Vysoce čistý izostatický grafit Semixlab se díky své vysoké čistotě, jemnozrnné struktuře, rovnoměrné hustotě, odolnosti vůči tepelným šokům a vynikající obrobitelnosti široce používá v polovodičovém průmyslu. Níže jsou uvedeny hlavní hotové produkty a jejich odpovídající role v kritických procesech:

Izostatický grafit pro polovodičové aplikace

1. V MOCVD (chemická depozice z plynné fáze organokovových sloučenin)

MOCVD je základní proces pro výrobu epitaxních vrstev GaN, GaAs a SiC. Izostatický grafit se běžně používá k výrobě:

● Susceptory: Slouží jako nosiče destiček, které drží a otáčejí destičkami uvnitř reaktoru. Zajišťují rovnoměrný přenos tepla a tím konzistentní epitaxní růst po celém povrchu destičky. Obvykle jsou potaženy CVD SiC nebo TaC pro zlepšení chemické odolnosti a prodloužení životnosti.

● Nosiče destiček / grafitové lodičky: Používají se k současnému vkládání více destiček. Vyžadují přesné obrábění, aby se zachovala rovinnost destiček a zabránilo se kontaminaci.

● Topné články: Grafitové topné články poskytují stabilní a rovnoměrná tepelná pole nezbytná pro vysoce kvalitní epitaxi.

Klíčová role: Izostatický grafit zajišťuje teplotní rovnoměrnost, chemickou stabilitu a dlouhou životnost, což má přímý vliv na kvalitu epitaxního filmu.

2. V žíhacích a difuzních pecích

Kroky tepelného zpracování za vysokých teplot, jako je difúze příměsí, oxidace a žíhání, se silně spoléhají na izostatické grafitové složky, včetně:

● Difuzní lodičky pece: Drží destičky během žíhání za vysokých teplot a difúze příměsí. Grafit poskytuje vynikající tepelnou stabilitu a minimální deformaci při opakovaném tepelném cyklování.

● Vložky a izolační komponenty: Grafitové vložky a štíty chrání komory pece před kontaminací a zvyšují rovnoměrnost teploty.

● Topné trubice a články: Používají se jako odporové ohřívače ve vysokoteplotních prostředích a zajišťují přesné a konzistentní teplo.

Klíčová role: Izostatické grafitové komponenty umožňují tepelné zpracování bez kontaminace, stabilní a opakovatelné, což je zásadní pro aktivaci příměsí a redukci defektů.

3. V epitaxi SiC (růst 4H-SiC, 6H-SiC)

Epitaxní růst SiC vyžaduje ultravysoké teploty (>1500 °C) a korozivní plynné prostředí. Izostatický grafit se používá k výrobě:

● Susceptory s povlakem SiC: Poskytují oporu substrátu během epitaxe SiC a zajišťují tak vynikající rozložení tepla a povrchovou stabilitu za extrémních podmínek.

● Grafitové lopatky a držáky destiček: Zajišťují fixaci destiček během rotace a proudění plynu a zajišťují rovnoměrnou rychlost růstu a tloušťku vrstvy.

● Součásti procesních trubek: Strukturální grafitové díly uvnitř epitaxních reaktorů odolávají agresivnímu prostředí a zároveň si zachovávají čistotu.

Klíčová role: Izostatický grafit v SiC epitaxi poskytuje rozměrovou přesnost, chemickou odolnost a spolehlivé tepelné řízení, což přímo ovlivňuje výtěžnost destičky a rovnoměrnost epitaxní vrstvy.

Jakožto přední dodavatel vysoce čistého izostatického grafitu v Číně se společnost Semixlab zavázala poskytovat pokročilé produkty a technická řešení pro průmysl zpracování polovodičů. Vaše dotazy uvítáme kdykoli a upřímně doufáme, že se staneme vaším dlouhodobým partnerem.