Držák z grafitu s povlakem SiC pro ICP

Platforma pro epitaxní zpracování více křemíkových destiček

Držák grafitu Semixlab s povlakem SiC pro ICP je speciálně navržen pro leptání a depozici indukčně vázaným plazmatem. Používá vysoce čistý grafitový substrát v kombinaci s procesem povlakování karbidem křemíku, což zajišťuje vynikající odolnost vůči vysokým teplotám, korozi a oxidaci. Je vhodný pro náročná analytická prostředí, což výrazně prodlužuje životnost součástí a snižuje náklady na údržbu. Zároveň garantujeme přísnou kontrolu kvality, služby na míru a rychlé dodání.

Aplikace:

Grafitový držák s povlakem SiC je klíčovou součástí leptání a depozice polovodičů s indukčně vázanou plazmou (ICP) díky své vysoké čistotě, odolnosti vůči vysokým teplotám a vynikající odolnosti proti plazmové erozi.

Služby, které lze poskytnout:

analýza scénářů zákaznické aplikace, porovnávání materiálů, řešení technických problémů.

Profil společnosti:

Semixlab má 2 laboratoře, tým odborníků s 20 lety zkušeností s materiály, s výzkumnými a vývojovými a výrobními, testovacími a ověřovacími kapacitami.

Technické parametry

Hlavní pole aplikace

Ověření ekologického řetězce

Držák Semixlab SiC Coated Graphite pro ověřování ekologického řetězce ICP zahrnuje proces od surovin až po výrobu, prošel mezinárodní certifikací a disponuje řadou patentovaných technologií, které zajišťují jeho spolehlivost a udržitelnost v oblasti polovodičů a nových energií.

Pro podrobné technické specifikace, odborné dokumenty nebo dohody o testování vzorků kontaktujte prosím náš tým technické podpory, který vám pomůže zjistit, jak může Semixlab zvýšit efektivitu vašich procesů.

Hlavní výhody grafitového držáku Semixlab s povlakem SiC pro ICP

Super odolnost proti korozi

Grafitové držáky s povlakem SiC využívají proces chemického nanášení z plynné fáze k vytvoření husté ochranné vrstvy karbidu křemíku na grafitovém povrchu, která účinně odolává korozi způsobené silnými kyselinami, zásadami a organickými rozpouštědly. Ve srovnání s tradičními grafitovými nebo kovovými držáky jsou tyto držáky stabilnější při manipulaci s vysoce korozivními vzorky a zabraňují kontaminaci v důsledku degradace materiálu. Jsou obzvláště vhodné pro aplikace ICP zahrnující dlouhodobé vystavení korozivním médiím.

Vysoká teplotní stabilita

V prostředí vysokoteplotní ICP plazmy se běžný grafit snadno oxiduje a ablatuje, ale povlak SiC významně inhibuje reakci mezi grafitovým substrátem a kyslíkem. Jeho odolnost vůči vysokým teplotám zajišťuje, že si držák zachovává svou strukturální integritu i za dlouhodobých provozních podmínek za vysokých teplot, čímž zabraňuje degradaci výkonu přístroje v důsledku tepelné deformace nebo ztráty materiálu. Je obzvláště vhodný pro potřeby kontinuálního testování ve vysoce výkonných laboratořích.

Vysoká mechanická pevnost

SiC má tvrdost blízkou tvrdosti diamantu a jeho povlak výrazně zlepšuje odolnost tvrdšího povrchu proti opotřebení. V ICP povlaky SiC snižují opotřebení povrchu a zvyšují přesnost usazení klíčových součástí, čímž udržují stabilní účinnost přenosu iontů a snižují frekvenci výměn.

Nákladově efektivní

Ve srovnání s čistým SiC nebo platinou si grafit s povlakem SiC zachovává vynikající výkon a zároveň snižuje náklady o 30–50 %. Jeho životnost je 3–5krát delší než u běžných grafitových držáků, což výrazně snižuje prostoje a spotřební materiál. Jedná se o optimálně nákladově efektivní řešení, zejména pro laboratoře s omezeným rozpočtem, které vyžadují dlouhodobý stabilní provoz.